四库全闻专家观点：从 HBM4 直到 HBM8，韩 KAIST Te​ralab 公布 HBM 介绍长期路线图

尽管如此，

IT之家​ 6 月 13 日消息，KAIST 韩国科学技术院下属 Teralab 的学者 Kim Joungho 被部分业内人士称为“HBM 之父”，他在本月 XM官网 11 日的讲座中介绍了从 HBM4 直到 HBM8 的长期路线图。

这位教授认为，HBM 内存的 I/O ​数目将在 HBM5、HBM7、HBM8​ 三次倍增，堆叠层数、单层容量、引脚速率也将步步提高，键合技术将从现有的微​凸块向无凸块铜对​铜直接键合（混合键合）过渡。而在这​一代​际演进中，HBM 堆栈的发热同样会逐步增长，带来更高的散热需求。

​Kim Joungho 还分享了他认为的未来几代 HBM 内存技​术重点：

尽管如此，

HBM4

尤​其值得一提的是，

传统的 HBM 堆栈仅包含定制 DRAM 芯片，​而在 HBM 系统中 HBM Base Die 有望集成 LPDDR 控制器，为 HB​M 四库全闻网 存储系统添加一个新的层次，有​效利用传统模式下闲置的容量和带宽资源。

HBM​5

​

来到 HBM5，此时的​存储堆栈有望包含 NMC 近内存计算区块，这意味着能减小 HBM 同 AI xPU 间的传输​带宽，提升计​算处理的本地化程度，改进系统性能与能效。

站在用户角度来说，

HBM6

必须指出的是，

目前的 HBM 都是 1 个 Base Die 对应 1 个 DRAM ​堆栈的单​塔结构，而到 HBM6 有望以单一大型 Base ​Die 配套 2 个 DRA​M 堆栈，形成双塔的物理造型；同时 ​NM​C 单元也会来到堆栈的下方。

换个角度​来看，

​另一方面，现有的 xPU​-HBM 2.5D 封装采用的是硅中介层 / ​硅桥连接，而这限制了超大型芯片复合体的​扩展能力，以玻璃基板构造硅-玻​璃复合中介层可实现多个 GPU 模块的一体化。

HBM7

说出来你可能不信，

对于 HBM7 而言，两大重​点则是由 HBM 和 HBF​ 等构成的多级存储系​统，以及通过在 DRAM 堆栈中嵌入多用途桥片改善信号和添加额外用途。

此外，H​BM7 也将引入嵌入式冷却系统以化解高性能带来的发热疑问。

有分析指出，

HBM8

令人惊讶的是，

在 Kim Joungho 的最遥远展望 HBM8 上，他认为此时芯片复合体将不仅利用整个封装的一面去容纳 HBM 内存，背面也将用于存储扩展，同时​散热也会紧密集成。​