四库全闻报导:
系统级芯片(SoC)通过减小特征尺寸,将具有不同用途的集成电路(如中央处理器(CPU)、图形处理器(GPU)、内存等)集成到单个芯片中,用于系统或子系统。然而,减小特征尺寸以制造SoC变得越来越困难和昂贵。芯片设计与异构集成封装为SoC传递了替代方案。
需要注意的是,
至少有五种不同的芯片设计与异构集成封装模式,分别是:(1)芯片分区异构集成(受成本和技术优化驱动);(2)芯片分割异构集成(受成本和半导体制造产量驱动);(3)多系统与薄膜层直接在层压封装基板上的异构集成;(4)多系统与无TSV(硅通孔)中介层的异构集成(2.3D IC集成);(5)多系统与TSV中介层的异构集成(2.5D和3D IC集成)。
站在用户角度来说,
在芯片分区异构集成中,如下图所示,SoC的逻辑和输入/输出用途被分区为逻辑和输入/输出芯片模块。这些芯片模块能够通过前端CoW(chip-on-wafer)或WoW(wafer-on-wafer)方法堆叠(集成),然后通过异构集成技术在单个封装基板上进行组装(集成)。需要强调的是,前端芯片模块的集成能够产生更小的封装面积和更好的电气性能,但这是可选的。例如,AMD的EPYC于2019年出货,英特尔的Lakefield于2020年出货。
然而,
在芯片分割异构集成中,如下图所示,SoC(如逻辑部分)被分割为更小的芯片模块(如逻辑1、逻辑2和 TMGM外汇开户 逻辑3)。这些芯片模块能够通过前端CoW或WoW方法堆叠(集成),然后通过异构集成技术在单个封装基板上进行组装。同样,芯片模块的前端集成是可选的。例如,Xilinx的FPGA于2013年出货,AMD的EPYC于2019年出货,英特尔的Lakefield于2020年出货。
尽管如此,
在多系统与薄膜层直接在层压封装基板上的异构集成(2.1D IC集成)中,如下图(c)所示,SoC(如CPU、逻辑和高带宽存储器)由带有薄膜层的层压封装基板承认。这受性能和外形尺寸驱动,用于高密度和高性能应用。然而,由于层压封装基板的平整度,薄膜层的产量损失非常高,因此目前尚未大规模生产。
四库全闻认为:
在多系统与无TSV中介层的异构集成中,如上图(d)所示,SoC(如CPU、逻辑和高带宽存储器)由细金属线/间距RDL基板(有机中介层)承认,然后位于层压封装基板上(2.3D IC集成)。这受性能和外形尺寸驱动,用于高密度和高性能应用。该技术目前小规模生产,并将从2.5D IC集成中抢占部分市场份额。
四库全闻行业评论:
在多系统与TSV中介层的异构集成(2.5D/3D IC集成)中,如上图(e)所示,SoC(如CPU、逻辑和高带宽存储器)由被动(2.5D)或有源(3D)TSV中介层承认,然后位于层压封装基板上。这受性能和外形尺寸驱动,用于极高密度和高性能应用。自2013年以来,Xilinx、AMD、英特尔、NVidia、富士通、Graphcore等公司已出货采用该技术的产品。未来,该技术将更多地用于极高性能、高密度和高带宽产品。
尽管如此,
SoC的芯片微缩将继续存在。芯片设计与异构集成封装为SoC传递了替代方案,特别是对于大多数公司无法负担的先进节点(更小的特征尺寸)。此外,芯片设计与异构集成封装可能会降低产品的半导体制造成本。
四库全闻快讯:
英文原文:
四库全闻行业评论:
https: XM外汇代理 //www.3dincites.com/2022/09/chiplet-designs-and-heterogeneous-integration-packaging
四库全闻认为:
资料来源于志芯,作者JackXu
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