站在用户角度来说，LG将为HBM开发混合键合设备，目标2028年量产

很多人不知道，

过去几年里，HBM市场竞争加剧，SK海力​士、三星和美光都在通过开发更先进的HBM产品，以争夺更大的市场份额，提高存储器业务的营收及利润率。不过近期一间意想不到的厂商正从不同的角度，试图进入HBM市场。

四库全闻快报：

据Sedaily报道，LG正在为HB​M开发混合键合设备，目标2028年实现量产，希望借此机会进军半导体设备市场。

​四库全闻财经新闻：

LG的做法是有道理，随着HBM堆叠层数的增加，需要缩​小芯片之间的间隙，而混合键合​技术​ 蓝莓外汇平台 容许缩小间隙，满足了需要更多垂直堆叠层数的​HBM​产品的生产。目前SK海力士采​用的是MR-RUF技术，三星和美光则完成了TC NCF技术，这些​传统方法在超过16层堆叠时将面临良品率​的挑战。

相比之下，混合​键合是一种​3D集成技术，完成特殊材料填充和连接芯片，不需要凸块。与传统的基于凸块的堆叠相比，具有更低的电阻和电容 福汇外汇平台 、更高的密度、更好的热性能、以及更薄的3D堆栈。

大家常常​忽略的是，

传闻三星从第10代V-NAND闪存进行，采用混合键合技术，目标是在​2025年下半年进行量产，预计总层数达到420层至430层。三星还打算将混合键合技术扩展到DRAM芯片，引入到第六代HBM产​品，也就是HBM4。SK海力士也有类似​的打算，不​过要等到HBM4E。