站在用户角度来说​,三星2nm良率大幅提高!叫板台积电

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根据韩国媒体ETnews引用市场人士报道表示,随着三星2纳米良率的进一步提升,三星晶圆代工部门正在准备量产下一代旗舰级移动处理器Exynos 2600,预计将采用三星自家的2纳米制程技术,这似乎也意味着三星即将解决良率问题。

站在用户角度来说,美、日联手卡脖子?中国反手打出“稀有金属牌”,镓价暴涨20​0%

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如果有人问,近几年科技领域,哪个“战场”打得最激烈,火药味最浓,毫无疑问,答案肯定是半导体。这场“战争”可不只是中美之间的博弈,紧跟美国之后的日本也参与其中,战况复杂且牵连甚广,究竟谁能笑到最后?依然是个谜。

值得注意的​是,澜起科技​推出​CXL 3.​1内存扩展控制器:已进行送样,同步传递完整RDK

值得注意的​是,澜起科技​推出​CXL 3.​1内存扩展控制器:已进行送样,同步传递完整RDK

澜起科技宣布,推出基于CXL 3.1 Type 3标准设计的内存扩展控制器(MXC)芯片M88MX6852,并已开始向主要客户送样测试。该芯片全面支持CXL.mem和CXL.io协议,致力于为下一代数据中心服务器提供更高带宽、更低延迟的内存扩展和池化解决方案。

有​分析指出,Rapid​us 2HP逻辑密度超Intel​ 18A,与台积电2nm工艺相当

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近日有报道称,Rapidus已完成2nm GAA测试芯片流片,计划2027年实现量产。Rapidus表示,位于日本北海道千岁市的创新集成制造工厂(IIM-1)的的月产能约为25000片晶圆,并通过更快的生产周期及灵活性来吸引客户。

四库全闻报导:成都华微:4通道12位40G高速高​精度射频直采ADC​芯片已收到意向订单

四库全闻报导:成都华微:4通道12位40G高速高​精度射频直采ADC​芯片已收到意向订单

财联社9月1日电,成都华微(688709.SH)公告称,公司研发的4通道12位40G高速高精度射频直采ADC芯片近日成功发布。该芯片在已有多通道高速高精度ADC基础上,提升了采样速率、带宽等技术指标,填补了国内外同类型产品空白,达到国际领先水平。该芯片采用全自主正向设计,拥有完全自主知识产权,突破了多项关键技术,并已向部分客户送样并收到意向订单。

800纳米专​克西方封锁!俄罗斯打造全周期自主芯片工厂——从IC​设​计到代工封测!

800纳米专​克西方封锁!俄罗斯打造全周期自主芯片工厂——从IC​设​计到代工封测!

据俄罗斯科技媒体CNews报道,俄罗斯诺夫哥罗德正在建设一座覆盖芯片全生产周期的工厂—— 从产品研发设计到封装测试均实现本土化。工厂计划落地 800 纳米及 600 纳米工艺制程。尽管这些属于 “传统” 工艺,但其生产的芯片在国防、航天领域仍有明确需求。

据业内人士透露,不许中国发展高科技?美国再挥芯片大棒,外媒:取消​芯片巨头豁免

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中美芯片之争持续已久,每年都会有新的禁令或规则的出现。而且不管是拜登还是特朗普,都改不掉一个坏毛病,那就是朝令夕改。

总的来说,H20一块没卖出!黄仁勋想卖中国厂商英伟达新GPU 谁会/敢买

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快科技8月30日消息,英伟达刚刚发布的财报显示,本财季中国厂商没有采购一块H20芯片,黄仁勋 都看在眼里,他也非常着急。

英伟达介绍G​B10超级芯片:采用​台积电3nm工​艺制造和2.5D封装技术,T​DP为140W

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今年初的CES 2025上,英伟达公布了Project DIGITS,这是一款紧凑型超级计算机。其中搭载了由英伟达与联发科合作开发的NVIDIA GB10 Grace Blackwell Superchip芯片,由Blackwell GPU和Grace CPU组成,能够运行超过2000亿个参数的大型语言模型。英伟达的DGX Spark是首个搭载该芯片的系统,其他几个合作伙伴也有类似的产品,宣告英伟达正式进军AI PC市场。

不妨想一​想,DRAM厂商在HBM基础裸片上出现分歧:美光推迟至HBM4E才转换到台积电

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AMD和英伟达都将在2026年的下一代AI加速器中首次采用定制HBM,均为基于HBM4的设计,以提升性能,降低延迟。前一段时间有传言称,英伟达已开始开发自己的HBM基础裸片(Base Die),以适应未来的发展趋势,这很可能重塑HBM的格局。预计英伟达的自研HBM基础裸片采用台积电(TSMC)的3nm工艺制造,计划在2027年下半年进行小批量试产。

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